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Mos管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(SemiConductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的Source和Drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。   

額定功率：100W

針腳數(shù): 3

漏源極電阻: 12 Ω

極性：N-Channel

耗散功率：100 W

閾值電壓：4V

漏源極電壓(Vds)：1500V

連續(xù)漏極電流(ds)：2.50 A

上升時(shí)間：70 ns

輸入電容(Ciss)：990pF @10V(Vds)

下降時(shí)間：60 ns

工作溫度：-55 °C-150°C

封裝：TO-3-3